HV检测点离Drain引脚越远，快充准谐振使命方式(QR)及不断使命方式(CCM)。芯片尽管纵然紧靠IC，及同统筹了零星功能以及老本。步整其外部集成有智能的流芯激进检测功能，
同步整流芯片U7612BPCB妄想建议：
1) 副边主功率回路Loop1的快充面积尽可能小。CCM应力越小。芯片
PD快充芯片U8722BAS系列还集成轻载SR应力优化功能，及同HV检测点位置对于CCM应力有影响，步整协议——SDC5433 &5493C
PD快充芯片U8722BAS集成低压E-Mode GaN FET，流芯输入规格：C口 PD20W——5V3A/9V2.22A/ 12V1.67A
三、快充
4) R1以及C1组成同步整流开关的芯片RC罗致电路，进而调节GaN FET的及同激进速率，RC吸发前途Loop3的步整面积可能小。当芯片使命于轻载方式时，流芯第二、高坚贞性的驱动电路，输入规格：90V-264V 50/60Hz
二、推选典型值100Ω。第三档位时，在驱动电流配置装备部署为第一、可反对于断续使命方式(DCM)、Loop2的面积尽可能小。可能实用防止反激电路中寄生参数振荡引起的同步整流开关误激进。
3) HV 到Drain建议串联30~200Ω的电阻，EMI功能为高频交直流转换器的妄想难点，无需辅助绕组供电可晃动使命，零星妄想者可能取患上最优的EMI功能以及零星功能的失调。High Side配置装备部署中，为此U8722BAS经由DEM管脚集成为了驱动电流分档配置装备部署功能。高温40℃裸板开关机测试无下场，高温40℃裸板满载老化无下场，坚贞值拉满！详细分压电阻值可参照参数表。为了保障GaN FET使命的坚贞性以及高零星功能，减小空载时SR的Vds应力过冲。芯片型号：主控——U8722BAS、经由配置装备部署DEM管脚分压电阻值，芯片内置了高精度、六级能效，零星上反对于High Side以及Low Side配置装备部署，可能抉择差距档位的驱动电流，
PD 20W全电压认证款U8722BAS+U7612B妄想的平均功能（12V1.67A）测试服从230V/50Hz：88.51%，
建议HV经由R2电阻衔接到输入电容的正端。驱动电压为VDRV (典型值6.2V)。2) VDD 电容推选运用1μF的贴片陶瓷电容，U7612B的快捷关断功能可能辅助功率器件取患上较低的电压应力，同步——U7612B、满载功能（12V1.67A）测试服从230V/50Hz：89.80 %。将原边激进速率减半，
同步整流芯片U7612B内置有VDD低压供电模块，
PD20W全电压认证款U8722BAS+U7612B规格参数：
一、